Картка документу
ЗАПАМ'ЯТОВУЮЧА МАТРИЦЯ НА ОСНОВІ МЕМРИСТОРНИХ НАНОЕЛЕКТРОННИХ СТРУКТУР
Бібліографія
Патент України (на 20 р.)
(51)
МПК
G11C 5/02 (2006.01)
G11C 13/00 (2006.01)
H01L 45/00 (2006.01)
H01L 29/68 (2006.01)
H01L 27/00 (2006.01)
B81B 1/00 (2006.01)
G11C 5/02 (2006.01)
G11C 13/00 (2006.01)
H01L 45/00 (2006.01)
H01L 29/68 (2006.01)
H01L 27/00 (2006.01)
B81B 1/00 (2006.01)
(11)
119930
(22)
08.12.2017
(24)
27.08.2019
(21)
a201712097
(41)
10.06.2019, бюл. № 11
(46)
27.08.2019, бюл. № 16
(56)
US 2012/0074507 A1, 29.03.2012
US 2014/0264225 A1, 18.09.2014
US 8946046 B1, 03.02.2015
US 2016/0093800 A1, 31.03.2016
US 2014/0070156 A1, 13.03.2014
US 8507968 B2, 13.08.2013
US 8502343 B1, 06.08.2013
RU 148262 U1, 27.11.2014
RU 2449416 C1, 27.04.2012
Tu, Chun-Hao, et al. "Improved memory window for Ge nanocrystals embedded in SiON layer." Applied physics letters 89.16 (2006): 162105.
(71)
ІНСТИТУТ КІБЕРНЕТИКИ ІМ. В.М. ГЛУШКОВА НАН УКРАЇНИ 
(72)
Ходаковський Микола Іванович ; Мудренко Максим Ігоревич
; Мудренко Максим Ігоревич (73)
ІНСТИТУТ КІБЕРНЕТИКИ ІМ. В.М. ГЛУШКОВА НАН УКРАЇНИ
(98)
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова HАH України
просп. Академіка Глушкова, 40, м. Київ-187, 03187
просп. Академіка Глушкова, 40, м. Київ-187, 03187