A talßlmßny tßrgyßt az (I) ßltalßnos kÚpletű ˙j heterobiciklusosszulfonamid-szßrmazÚkok Ús gyˇgyßszati szempontbˇl elfogadhatˇ sˇikkÚpezik, amelyek tumorellenes hatßst fejtenek ki, Ús alacsonytoxicitßssal bÝrnak; tovßbbß a talßlmßny tßrgyßt kÚpezi ezenvegyŘletek el§ßllÝtßsi eljßrßsa. A talßlmßny szerinti vegyŘletek (I)ßltalßnos kÚpletÚben A jelentÚse adott esetben helyettesÝtett benzol-vagy piridi...

A találmány tárgyát az (I) általános képletű 1-aril-alkil-2-alkil-5-formil-imidazol-származékok és gyógyászati szempontból elfogadhatósóik előállítása képezi – a képletben R1 jelentése hidrogénatom vagy–CO2R6 általános képletű csoporttal helyettesített fenil- vagynaftilcsoport, R2 jelentése hidrogénatom vagy alkilcsoport. Atalálmány szerinti eljárás abban áll, hogy egy (II) általános képletűvegyül...

A találmány a GE 2270 antibiotikum új (I) általános képletűszármazékaira, valamint ezek gyógyászatilag elfogadható addíciós sóiravonatkozik. A találmány tárgykörébe tartoznak továbbá az (I) általánosképletű vegyületek. A találmány szerinti megoldás kiterjed az (I)általános képletű vegyületeket tartalmazó gyógyszerkészítményekre.; The present invention is directed to novel amide derivatives of anti...

A találmány tárgyát új (I) általános képletű peptidek, H-Xaa Zaa ProPro Pro Xaa Yaa Pro Ala Asp Zaa Ala Xaa Xaa Xaa-OH (I) 1 5 1015 képezik, amely képletben Xaa neutrális alifás aminosavmaradékotjelent, amilyen az Ala, bAla, Leu, Ile, Gly, Val, Nle vagy Nva, aholegy vagy több Xaa csoport hiányozhat; Yaa bázikus aminosavmaradékotjelent, amilyen a Lys, Arg, Orn vagy His, és Zaa savasaminosavmaradéko...

A találmány tárgyát funkcionális protein-tirozin kináz kimérákatexpresszáló sejtek képezik, melyek képesek specifikus célsejtekhez ésfertőző ágensekhez kötődni és azokat elpusztítani. A találmány tárgyátképezik a találmány szerinti sejtek által expresszáltkimérareceptorokat kódoló DNS-molekulák és az azokat hordozó vektorokis. A találmány szerinti sejtek olyan kimérareceptorokatexpresszálnak, mely...

A thin ribbon (5) spirally wound polymer conduit (37) and method of forming, wherein a helical reinforcing bead (8) is interposed adjacent overlapping layers of ribbon (5). Further, a method of continuously forming spirally wound conduit (37) wherein a sacrificial layer (17), preferably having a different base polymer to that of the conduit (37), is first applied to the former (1) before the condu...

A splicing machine ( 10 ) to join strip material, the strip material being intended to be delivered to a packaging machine. The splicing machine ( 10 ) supports two rolls of strip material on supports ( 12, 13 ), with the strip material being taken from one of the rolls. When the material taken from one roll becomes depleted the trailing end of the material is engaged by a first web securing membe...

Mezclas fungicidas, que contienenA) el compuesto de la fórmula IyB) un derivado de pirimidina de la fórmula II,en la que R significa metilo, ciclopropilo ó 1-propinilo, en una cantidad sinergética activa, procedimientos para controlar hongos nocivos con mezclas de los compuestos I y II y el uso de los compuestos I y II para la obtención de tales mezclas.; Fungicidal mixtures, comprising A) the com...

A method and a system are described for determining the effectiveness of production installations, significant fault events that bring about deviations from a desired effectiveness and the causes of fault events. The production installation is connected to a data acquisition device, which is set up for continuous acquisition and ready-to-call-up storage of installation and production-related data....

A safety system for an elevator installation for the transport of persons/goods in a building and a method for operating an elevator installation with a safety system. Several cages are moved one above the other in a shaft. Each cage is moved by a drive. At least one drive control controls the drives by way of drive control signals. Cage position detecting sensors detect positions of each cage and...

A process of fabricating a CMOS device comprised with super-steep retrograde (SSR), twin well regions, has been developed. The process features the use of two, selective epitaxial growth (SEG), procedures, with the first SEG procedure resulting in the growth of bottom silicon shapes in the PMOS, as well as in the NMOS region of the CMOS device. After implantation of the ions needed for the twin we...

Conditions such as kidney stones, which are characterized by undesired absorption of oxalate from the intestinal tract are conveniently treated using nontoxic salts of rare earth metal ions.

A találmány tárgya eljárás jól tárolható fogyasztói tej folyamatoselőállítására, melynek során a teljes tejet lefölözött- tej- éstejszínfrakcióra szétválasztják, a lefölözött-tej-frakciótmikroszűrésnek vetik alá, ahonnan permeátum- és koncentrátumáramokatnyernek, a tejszínfrakciót hőkezeléssel sterilizálják, a hőkezelttejszínt a permeátumárammal újrakeverik, célszerűen homogenizálják. Atalálmány s...

A találmány tárgya eljárás kristályos, kovasavtartalmú, tűzálló masszaelőállítására gáz alakú oxigén, szilárd tűzálló részecskék ésszilíciumrészecskéket tartalmazó, szilárd gyúlékony részecskékrálövellésével hordozófelületre oly módon, hogy a gyúlékony részecskékés a gáz alakú oxigén közötti reakció a felületen megy végbe, ezáltala reakcióhő a felületen szabadul fel, úgyhogy krisztobalitottartalma...

A talßlmßny szerinti vegyŘletek (I) ßltalßnos kÚpletÚben Q jelentÚse (i), (ii), (iv) vagy (v) ßltalßnos kÚpletű csoport, R1 jelentÚse hidrogÚnatom, ľOR7, ľSR7, ľNR8R9, ľNHSO2R ßltalßnoskÚpletű csoport; R2, R2', R3 Ús R3' jelentÚse hidrogÚnatom,alkilcsoport, Ús R2 jelentÚse lehet mÚg hidroxilcsoport; R4 jelentÚsehidrogÚn-, fluor-, klˇratom; R5 jelentÚse alkilcsoport; R6 jelentÚseoxigÚnatom, =NR10, ...

A thermal activated SACVD method for depositing a phosphorus oxide layer onto a silicon oxide wafer comprising the steps of: loading an SACVD device with a silicon oxide wafer; depositing a phosphorus doped oxide (PSG) layer on the USG layer using pure oxygen and a phosphorus and silicon source; purging the SACVD device; and depositing a boron and phosphorus doped oxide (BPSG) layer on the PSG lay...

A protective tape (T1) is applied by a tape applying mechanism on a surface of a wafer (W) suction-supported by a chuck table (7). The protective tape is cut to the shape of the wafer by a cutter unit (10). This process is repeated a plurality of times to apply protective tape (T1) in a plurality of plies to the wafer surface. The protective tapes (T1) applied are separated successively, starting ...

A method for joining a protective tape to a semiconductor wafer includes the steps of: mounting a semiconductor wafer, which has a surface with a pattern formed thereon, on a holding member; joining a protective tape, which protects the pattern, to the surface of the semiconductor wafer and, also, to a surface of an outer peripheral member disposed around the holding member; and cutting out the pr...

The present invention provides a method of moving a cutter blade along a circumferential edge of a semiconductor wafer, thereby cutting a protective tape joined to a surface of the semiconductor wafer with a pattern formed thereon for protecting the pattern before the semiconductor is processed. The cutter blade moves in the state where a side face thereof is brought into contact with the circumfe...

A laser beam machine comprising a chuck table for holding a workpiece and a laser beam application means for applying a laser beam to the workpiece held on the chuck table, wherein the machine further comprises a light detection means for detecting light of a processing portion of the workpiece to which a laser beam is applied from the laser beam application means and a control means for judging w...