Результати пошуку
- Фільтрувати за фондом:
- Всі
- Патенти України на винаходи
- Патенти України на корисні моделі
- Патенти України на промислові зразки
- Патенти на винаходи зарубіжних країн
- Заявки на винаходи
- Свідоцтва на топографії ІМС
- Свідоцтва України на знаки для товарів та послуг
- Прийняті до розгляду заявки на знаки для товарів і послуг
- Кваліфіковані зазначення походження товарів (КЗПТ)
| № п/п |
Номер патенту |
Назва винаходу та фрагмент реферату | Дата публікації патента |
|---|---|---|---|
| 1 | JP4073236B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 2 | JP4073243B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 3 | JP4073246B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 4 | JP4073247B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 5 | JP4073282B |
<назва відсутня>
In producing an electret element having piezoelectric properties by subjecting a vinylidene cyanide copolymer to a polarization treatment, the copolymer is heat-treated at a temperature below the glass transition temperature thereof prior to or simultaneously with the polarization treatment to thereby increase the longitudinal piezoelectric effect (Kt). |
20.11.1992 |
| 6 | JP4073287B |
<назва відсутня>
A gas is introduced into a vacuum chamber after the vacuum chamber is evacuated, and a plasma is generated within at least part of the vacuum chamber. The specimen surface is exposed to the plasma so that the surface is treated. A plurality of different gases, such as SF6, N2, and the like, are used as the gas being introduced. The quantity of the gas is changed during the surface treatment. A con... |
20.11.1992 |
| 7 | JP4073289B |
<назва відсутня>
PURPOSE:To improve the uniformity of treating a wafer by supplying gases of equal speeds and equal amounts to the surface of the wafer placed on a table from opposed electrodes. CONSTITUTION:Gas from a gas supply unit is supplied to a gas passage 11, sequentially passeed through the first vacant chamber 42 and the second vacant chamber 43 to a discharge space 40, i.e., the surface of a wafer 50. I... |
20.11.1992 |
| 8 | JP4073290B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 9 | JP4073291B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 10 | JP4073294B |
<назва відсутня>
PURPOSE:To obtain a high positioning accuracy and the stability by a method wherein the friction coefficient on a guide surface of a theta table is made variable at the time of fixing and pivoting by utilizing the levitation of the table due to compressed air and vacuum chuck. CONSTITUTION:When the compressed air is introduced 13, an air film is produced between the theta table 12 and a base 11 an... |
20.11.1992 |
| 11 | JP4073295B |
<назва відсутня>
In a LOCOS process, depressions are formed in a semiconductor body, and are filled by means of oxidation. The bottom and side walls of the depressions are coated with a double layer including an oxide and an oxidation-resistant material. This double layer is removed from the bottom of the depression and under-etching below the sidewalls under the oxidation-resistant layer is carried out to form ca... |
20.11.1992 |
| 12 | JP4073298B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 13 | JP4073300B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 14 | JP4073304B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 15 | JP4073317B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 16 | JP4073318B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 17 | JP4073320B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 18 | JP4073325B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 19 | JP4073326B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |
| 20 | JP4073327B |
<назва відсутня> | 20.11.1992 |