РЕФЕРАТ СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛА КРЕМНІЮ З РОЗПЛАВУ Винахід напівпровідникових відноситься матеріалів і до може області бути одержання при монокристалів вирощуванні використаний монокристала кремнію з розплаву за методом Чохральського Задачею винаходу є забезпечення формування оптимальної динаміки газового потоку над розплавом, що приводить до відсутності осадження монооксида кремнію і ле...

Винахід належить до кольорової металургії, а саме - до конструкції пристрою для одержання монокристалічних відливків. Пристрій для одержання монокристалічних відливків містить вакуумну камеру, у якій розміщені нагрівач, установлений під нагрівачем кристалізатор, керамічна форма із затравкою, яка розміщена у стаканоподібному елементі на водоохолоджуваній циліндричній камері з можливістю переміщення...

Спосіб реалізують шляхом пошарового горіння шихти, спресованої з порошків вихідних елементів, в замкнутому об'ємі під тиском інертного газу при ініціації горіння в запалювальному шарі шихти того ж складу. З метою підвищення густини полікристала і поліпшення його структури, порошки вихідних елементів беруть дисперсністю не більше 10 мкм в співвідношенні, відповідному формулі ZnS1,01-1,1, запалюваль...

Спосіб синтезу і отримання термоелектричного р-РbТе із надлишком телуру полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі. Ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку. Вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і телур Т-...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій належить до технології вирощування монокристалів, зокрема до вирощування монокристалів галогенхалькогенідів за допомогою газотранспортних реакцій. 

Винахід належить до галузі матеріалознавства та може бути використаний у радіоелектронному, напівпровідниковому і оптоелектронному приладобудуванні, а саме при виробництві приладів інфрачервоного діапазону. Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, причому з в...

t. Реферат Спосіб усунеїтя вк лючень другої фаіи І крнсіалїв на основі CdTe Корисна модель відноситься до технології напівпровідникових матеріалів, які можуть бути вик ористані, зок рема, у ближньому інфрачервоному спектральному діапазоні та для детекторів іонізуючого випромінювання. Спосіб полягає в тому, що в кварцову ампулу поміщають наважку кадмію масою --100 мг і зразок монокристалу CdTe, C...

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтезу сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 г...

Винахід відноситься до області матеріалознавства, зокрема, до акустооптичних монокристалічних матеріалів. Запропонований оптично одновісний акусто-оптичний матеріал є фазою змінного складу на основі сполуки Тl4Hl6, яка утворюється на квазібінарному перерізі TLІ-HgI2 потрійної системи TL-HgL. Додатково він містить також як компонент ртуть, а його склад відповідає формулі Tl 3+xHg2-хІ7-x, де 0,91<х<...

Пристрій для вирощування монокристалів включає циліндричну камеру росту з коаксіально розташованими нагрівником і подвійним концентричним тиглем із зовнішньою і внутрішньою частинами, механізм обертання тигля, затравкоутримувач, систему підживлення розплаву у вигляді бункера з трубкою. Камера росту оснащена кулачковими утримувачами кристала, відрізною фрезою і камерою термічної адаптації кристала ...

Спосіб вирощуваня монокристалів за методом Чохральського з контролем опору ділянки затравка-розплав, у якому опір контролюють до стадії механічного контакту затравки з поверхнею розплаву, опір контролюють при різній полярності напруги, прикладеної до затравки відносно розплаву, а по величині цього опору судять про відстань між затравкою та поверхнею розплаву. 

Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують...

Спосіб одержання надпровідних алмазів включає дію високим тиском при високій температурі на графіт і боровмісний розчинник вуглецю. Дію високим тиском і температурою проводять при режимах, що відповідають області стабільності алмазу, а саме: тиску вище 6,5 ГПа і температурі вище 2000 К, при цьому використовують розчинник вуглецю, що як боровмісну складову містить не менше 0,1 мас.% бору і додатков...

Спосіб однржання плівок алмазу включає бомбардування підкладки потоком атомів або іонів вуглецю при кімнатній температурі. З метою забезпечення монокристалічної структури плівок підкладка розміщується під певним кутом до потоку атомів або іонів вуглецю. Винахід належить до технології одержання метастабільної за нормальних умов кристалічної модифікації вуглецю - алмазу. Він може бути використаним в...

Спосіб нанесення покриттів із напівпровідникових сполук включає випаровування рідкофазного компонента у вакуумі, нагрівання його в замкнутому об'ємі синтезатора.